宣布时间：2019/9/25 17:18:45
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2019-05-15 泉源：宽禁带半导体手艺立异同盟
据外媒报道， ，，，，，，在2019年欧洲PCIM电力电子商业展上， ，，，，，，安森美半导体公司展示新款基于碳化硅(SiC)的混淆IGBT(绝缘栅双极型晶体管)， ，，，，，，以及隔离高电流IGBT门驱动器。。 。。。。。。这些产品接纳硅基IGBT， ，，，，，，团结SiC肖特基二极管手艺， ，，，，，，充分使用SiC手艺的效率优势和硅的本钱优势。。 。。。。。。
AFGHL50T65SQDC接纳最新的场阻止式IGBT和SiC肖特基二极管手艺， ，，，，，，在多种电力应用中， ，，，，，，降低传导消耗和开关消耗， ，，，，，，包括那些将受益于反向恢复消耗镌汰的应用， ，，，，，，如基于图腾柱的无桥功率因数校正(PFC)和变流器。。 。。。。。。硅基解决计划性能较低， ，，，，，，完全基于SiC的解决计划本钱又较高， ，，，，，，该器件将硅基IGBT与SiC肖特基势垒二极管团结封装， ，，，，，，在性能和本钱之间实现优异平衡。。 。。。。。。它的额定事情电压为650V， ，，，，，，能处置惩罚高达100 A @ 25°C (50 A @ 100°C)的一连电流， ，，，，，，以及高达200 A的脉冲电流。。 。。。。。。关于需要更大电流能力的系统， ，，，，，，正温度系数让并行操作变得简朴易行。。 。。。。。。
现代电动汽车不但依赖能源行驶， ，，，，，，在某些情形下， ，，，，，，还可以贮存能源， ，，，，，，在岑岭时间为家庭供电。。 。。。。。。因此， ，，，，，，需要一个双向充电器， ，，，，，，能够高效率开关充电， ，，，，，，确保能源在传输历程中不致铺张。。 。。。。。。在此类用例中， ，，，，，，带有外部SiC二极管的IGBT， ，，，，，，比MOSFET解决计划越发有用， ，，，，，，由于没有正向或反向复置损失。。 。。。。。。AFGHL50T65SQDC可以在最高175℃的结温下事情， ，，，，，，适用于要求很是严酷的电力应用， ，，，，，，包括汽车在内。。 。。。。。。另外， ，，，，，，它完全切合AEC-Q101标准， ，，，，，，可用于电动汽车和混淆动力汽车车载充电器。。 。。。。。。
除了新款混淆IGBT， ，，，，，，安森美半导体还将在PCIM上宣布一系列隔离高电流IGBT驱动器。。 。。。。。。NCD(V)57000系列针对多种电力应用， ，，，，，，包括太阳能变流器、马达驱动器、不中止供电系统(UPS)和汽车应用， ，，，，，，如动力系统和PTC加热器。。 。。。。。。
NCD(V)57000系列是高电流单通道IGBT驱动器， ，，，，，，接纳内部电流清静隔离设计， ，，，，，，可在要求高的电力应用中高效运行。。 。。。。。。该器件具有互补输入、开路漏极故障和停当输出、有源米勒箝位、精准欠压锁定、软关断去饱和DESAT保� ；；；；ぁ⒏好偶缪挂藕妥粤ζ獒魇涑觯� ，，，，，，实现系统设计的无邪性。。 。。。。。。它的额定电流隔离值大于5 kVrms， ，，，，，，切合UL1577标准;事情电压高于1200V;包管8mm爬电距离(输入>输出)， ，，，，，，可知足强化清静隔离要求。。 。。。。。。NCD(V)57000可爆发7.8A驱动电流和7.1A汲电流， ，，，，，，凌驾若干竞品的三倍。。 。。。。。。更主要的是， ，，，，，，在开关波形中的米勒高原运行时， ，，，，，，电流能力更强。。 。。。。。。加上领先的保� ；；；；すπВ� ，，，，，，堪称为一流的IGBT驱动器。。 。。。。。。
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