宣布时间：2019/10/14 15:46:09
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2019.10.14 泉源：半导体行业视察
已往多年 一直被诟病“价钱过高”的碳化硅（SiC）终于正式进入了增恒久。。。。 。作为被寄予厚望的电动汽车、第五代通讯系统（5G）等应用的不可或缺的质料，，，，，碳化硅晶圆（Wafer）、接纳了晶圆的芯片、高频（RF）元件厂商（Device Maker）、生产装备厂商的营业都进入了活跃期。。。。 。
有展望指出，，，，，在2023年凌驾100亿美元（约人民币708亿元）的功率半导体市场中，，，，，SiC占20亿美元（约人民币141.6亿元）”.也有展望指出，，，，，在未来2-3年内，，，，，8英寸（直径200mm）SiC晶圆将会“登场”，，，，，若是真的可以实现，，，，，现存的半导体工厂的量产将会越发容易，，，，，投资可能会越发活跃。。。。 。在此我汇总了各家相关公司的动态。。。。 。
手握全球6成SiC晶圆的美国Cree（科锐）在今年5月宣布，，，，，思量到未来汽车的电动化、5G需求的扩大，，，，，公司未来5年将投资10亿美元（约人民币70.8亿元）扩大SiC的产能，，，，，。。。。 。与2016年7月-9月时代的产能相比，，，，，科锐2024年的SiC、GaN Device（GaN on SiC RF）、SiC晶圆的产能将划分最大扩大到30倍。。。。 。
美国Cree（科锐）还宣布说，，，，，将要在被称为“North Fab”的新工厂投资4.5亿美元（约人民币31.86亿元），，，，，增产SiC和GaN Device。。。。 。同时准备切合车载认定要求的生产产线，，，，，预计在2020年最先生产。。。。 。预计届时6英寸（直径150mm）的SiC晶圆产能将提高18倍（按晶圆面积盘算），，，，，到2024年8英寸将会实现量产，，，，，产能将进一步提高。。。。 。
别的，，，，，他们对位于北卡罗莱纳州的达勒姆总部的园区内的现有工厂投资4.5亿美元（约人民币31.86亿元），，，，，作为其SiC晶圆的第一个“Mega Factory”，，，，，以增添SiC晶圆的产能。。。。 。至于剩下的1亿美金（约人民币7.08亿元），，，，，公司对其他相关营业举行扩大投资。。。。 。
Cree（科锐）曾在9月份明确体现，，，，，公司将要在纽约州的Marcy建设上文中提到的“North Fab”，，，，，并妄想通过8英寸SiC晶圆来量产功率半导体和RF Device，，，，，凭证最初的妄想，，，，，切合车载认定标准的产线将在2022年最先启动生产。。。。 。
可是，，，，，Cree（科锐）在5月份曾体现，，，，，随着妄想的现实推行，，，，，公司获得了纽约州5亿美元（约人民币35.4亿元）的津贴金，，，，，为此他们决议把产能比原妄想提高25%。。。。 。那就意味着阻止到2024年的投资妄想与之前的展望相比，，，，，节约了2.8亿美元（约人民币19.8亿元），，，，，纽约州新工厂完工后的最大面积为48万平方英尺，，，，，其中1/4是清洁间，，，，，未来将凭证需求扩产。。。。 。
如上所述，，，，，Cree（科锐）扩大的SiC产能除了用来生产自己公司的SiC & GaN Device之外，，，，，他们还与其他半导体厂商签署了一连数年之久的SiC晶圆的恒久供应合约。。。。 。详细明细如下：
与美国ON Semiconductor（安森美）签署了8,500多万美元（约人民币6.0亿元）的合约（6英寸）、与意大利的ST Microelectronics（意法半导体）签署了2.2亿美元（约人民币15.6亿元）的合约（6英寸）、与德国的英飞凌也签署了关于6英寸的合约，，，，，同时还与另一家非果真的企业签署合约。。。。 。
别的，，，，，Cree（科锐）在5月份还被公共（VW）集团选定为SiC相助同伴，，，，，公司不但为VW供应SiC 元件，，，，，他们9月份还与美国大型Tier 1德尔福（Delphi）公司签署了自2022年起供应用用于800V 变频器（Inverter）的SiC-MOSFET的协议，，，，，同时也有其他汽车零部件相关厂商一直向Cree（科锐）举行咨询。。。。 。
ST Microelectronics（意法半导体）在9月份也果真体现，，，，，公司为雷诺（Renault）、日产汽车、三菱汽车同盟（Alliance）旗下的电动汽车搭载的OBC(On-Board Charge, 即车载充电)提供SiC功率半导体。。。。 。搭载了意法半导体的SiC产品的OBC预计在2021年最先批量生产，，，，，别的，，，，，听说意法半导体给雷诺（Renault）、日产汽车和三菱汽车同盟（Alliance）提供标准的包括硅产品在内的相关元件（Component）。。。。 。
关于SiC晶圆的供应商，，，，，除了Cree（科锐），，，，，尚有美国的II-IV（Two Six）、美国Dow（陶氏集团）、罗姆旗下的德国Si Crystal等，，，，，中国的新兴厂商也在逐步增多，，，，，据外洋部某生产装备主管透露说，，，，，“不但仅是Cree（科锐），，，，，所有的厂商都在起劲推进增产”。。。。 。
9月份，，，，，硅晶圆厂商（Silicon Wafer Maker）韩国SK Siltron以4.5亿美元（约人民币31.86亿元）的价钱从杜邦的子公司DuPont Electronics＆Imaging（E＆I）中收购了化合物解决计划（CSS）事业部，，，，，由于需要相关机关的批准，，，，，这单收购预计在2019年年尾完成。。。。 。杜邦体现，，，，，“CSS事业部有生产硅晶圆的最尖端手艺，，，，，公司也在为电力电子元件（Power Electronics）市场供货，，，，，但这并不是E&I的战略性的优先事项。。。。 �？？？？？？Ｋ剂康揭陨希�，，，，我们以为SK Siltron是较量好的拥有者”!外界普遍以为，，，，，SK Siltron在继硅晶圆之后，，，，，又在牢靠在SiC晶圆方面的职位，，，，，同时为应对商业战争、力争实现国产化。。。。 。
别的，，，，，意法半导体在2月份宣布，，，，，要收购瑞典SiC晶圆厂商Norstel的55%的股份，，，，，同时可选择在某些条件下收购剩余的45%。。。。 。Norstel作为瑞典Linköping大学的自力企业（Spin Off Company）建设于2005年，，，，，从事开发和生产6英寸的SiC Bearing和外延晶圆。。。。 。
别的，，，，，关于SiC晶圆方面，，，，，6月份GT Advanced Technologies（GTAT）与台湾大型硅晶圆厂商GWC（举世晶圆）举行相助，，，，，缔结了恒久供应GTAT产的6英寸SiC晶圆、GWC举行销售的合约。。。。 。
同时，，，，，在SiC晶圆上沉积高品质的SiC薄膜的SiC 外延片相关的运动也很活跃，，，，，特殊是日本厂商尤其活跃。。。。 。住友电工在2017年最先量产了高质量的Epitaxial Wafer（外延晶圆）“EpiEra”，，，，，提供的尺寸包括4英寸和6英寸。。。。 。
别的，，，，，昭和电工也在提升产能。。。。 。认真生产的秩父分公司的月产能在2014年9月已经抵达2,500片（用4英寸换算），，，，，2016年6月扩充到月产能3,000片。。。。 。近年来为应对功率半导体的强劲需求，，，，，公司在2018年4月将产能从3,000片增添到5,000片，，，，，2018年9月又从5,000片增添到7,000片，，，，，2018年7月决议继续增产——在2019年2月，，，，，昭和电工宣布将SiC产能从7,000片增添到9,000片。。。。 。2019年8月又开发了第二代的6英寸的高质量SiC Epitaxial Wafer（外延晶圆）--“HGE-2G”。。。。 。
SiC元件厂商方面，，，，，把SiC晶圆厂商Si Crystal并入旗下的罗姆也在扩大生产。。。。 。罗姆对其子公司“罗姆·阿波罗筑后工厂”投资200多亿日元（约人民币13.4亿元），，，，，建设用于量产SiC功率半导体的新厂房。。。。 。凭证预计，，，，，到2021年，，，，，公司将把SiC功率半导体的月产能提高到现在的3倍，，，，，即月产能1万2,000片，，，，，力争实现全球占比30%。。。。 。罗姆已经有把SiC功率半导体搭载到电动汽车方面的履历，，，，，公司SiC功率半导体也畏惧全球TOP3以内。。。。 。
别的，，，，，在接纳了SiC晶圆的GaN on SiC RF Device方面，，，，，住友电工集团旗下的住友电工Device Innovation（SEDI）正在增产用于5G的GaN 晶体管（Transistor）。。。。 。
我们知道，，，，，在无线通讯基站之间的放大器方面，，，，，若是频段在4-40GHz的话，，，，，可以使用GaAs MMIC；；；；；；；3GHz以下的RRH（Remote Radio Head）的话，，，，，则需要凭证标准搭载GaN 晶体管（Transistor），，，，，这就是近年来GaN 晶体管（Transistor）的需求逐步上升。。。。 。另外，，，，，若是是5G通讯的Sub 6（6GHz以下）的话，，，，，LDMOS无法对应、频率较高的带宽，，，，，因此现在GaN 晶体管（Transistor）占有70%以上的份额。。。。 。
别的，，，，，现有的4G的基础设施中GaN的占比也在逐步上升。。。。 。4G方面，，，，，硅LDMOS的占比为80%，，，，，GaN的占比已经提升到20%。。。。 。
为了对应以上情形，，，，，住友电工Device Innovation（SEDI）正在扩大山梨事业所的4英寸的产线，，，，，若是把2017年的GaN 晶体管（Transistor）的产量看做1的话，，，，，2020年的生产将会是10，，，，，并且这一妄想正在被苦熬苏推进。。。。 。
从晶圆的处置惩罚能力来看，，，，，2019年是2017年的2倍，，，，，2020年的妄想将会是2019年的3倍！不但云云，，，，，公司还在2018年10月与SiC晶圆厂商之一的美国II-IV（Two Six）缔结战略性合约，，，，，双方相助在美国II-IV（Two Six）的新泽西工厂设置6英寸的GaN专用的量产产线。。。。 。妄想在2021年最先量产，，，，，届时作为GaN Device的基础元素的SiC晶圆的需求应该也会增添。。。。 。
5G虽然首先在Sub 6波段最先了商业化，，，，，但预计在2022年-2023年，，，，，接纳了被称为“5G+”的高频（毫米波波段）装备将会普及。。。。 。届时，，，，，将需要比现在具有更高性能的GaN on SiC RF Device。。。。 。
相关数据展望，，，，，在SiC晶圆上沉积SiC 外延的SiC Epitaxial天生装备的需求未来应该会增添。。。。 。
作为独树一帜的大型装备厂商 ，，，，，德国Aixtron在今年9月宣布最先销售其SiC Epitaxial天生装备的新机型--“AIX G5 WW C”。。。。 。据报道，，，，，这款产品已经收到了好几家客户的订单。。。。 。关于这款新装备，，，，，是以Aixtron许多装备都有接纳的“ Planetary Reactor Platform”为基�。。。。 。�，，，，且具备最先进的Cassette to Cassette Wafer 搬运系统（从框架盒到框架盒的晶圆搬运系统），，，，，把晶圆放入Cassette、高温情形下晶圆的搬运等都是全自动化。。。。 。
据先容，，，，，这个装备可以同时处置惩罚8个6英寸的晶圆，，，，，与以往机械相比，，，，，处置惩罚能力提高了2倍。。。。 。爱思强的这个操作就是力争通过投入新装备，，，，，来扩大市场比例。。。。 。
除了Aixtron（爱思强）之外，，，，，东京电子、NuFlare Technology, Inc.、意大利的LPE等也都是相关装备供应商，，，，，LPE最近也决议最先进军日本市场。。。。 。虽然预计未来的需求会增添，，，，，不过竞争应该也会很强烈。。。。 。
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